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                MNS低压开关柜

                MNS型低压成套开关设备是我公司①根据市场需要引进开发的新一代低压开关柜。产品技术标准︾符合IEC439《低压成套开关设备△和控制设备》;GB7251《低压成套开关设备》等标准要求。       MNS型低㊣压抽屉式开关柜适用于发电厂、变电站、石油化工、冶金轧钢等厂矿企业和@ 住宅小区,高层建筑等场所,作为交流50-60Hz,额定︾工作电压交流660V及以下的配电系统的电

                • 型号: MNS
                • 品牌: 正涵
                • 价格:
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                MNS型低压成套开关设备是我公司根据市场需要引进开发的新一代低压开关柜。产品技术标准符合IEC439《低压成↘套开关设备和控制设备》;GB7251《低压成套开关设备》等标准要求。

                       MNS型低压抽屉式开关柜适用于发电厂、变电站、石油化工、冶金轧钢等厂矿企业和住宅小区,高层建筑等场所,作为交流50-60Hz,额定工作电压交流660V及以下的配电系统的电能转换和消耗设备控制之用。

                  一、特点

                   1、设计紧凑:以较小的空间能容纳较多的功能↑单元。
                   2、结构通用性强,组装灵活,以25mm为模数的C型型材能满足各种结构型式、防护等级、使用环境〖的要求。
                   3、采用标准模块设计:分别可组成保护、操作、转换、控制、调节、测定、指示等标准单元。用户可根据需要◥任意选用组装,以200余种零∴件可以组成不同方案的柜架结构⊙和抽屉单元。
                   4、安全性好:大量采用高强度阻燃型工程塑料组件,有效加强防护安全性能。
                   5、技术性能高:主要参ㄨ数达到国内先进水平。

                  二、正常使用环境条件
                   1、周围空气温度不高于+40℃,不低于-5℃,并且24h内其平均温度不♀高于+35℃。
                   2、 大气条件:空气清洁,相对湿度在最高温度+40℃时不超过50%,在较低温度时允许有较高的相对湿度,例如+20℃时为90%,但应考虑到温度变化,有可能会偶然产生适度ぷ的凝露。
                   3、海拔高度不超过2000m。
                   4、 本装置适应于以〗下温度的运输和储存过程:-25℃至+55℃的范围之间,在短时间内(不超过24h)可达+70℃,在这些极限温度下装置不应遭到任何不⌒ 可恢复的损伤,而且在正常的条件下应能正常工作。
                   5、 如果上述使用条件不能满足时,应■由用户和制造厂协商解决。
                   6、 当本装置使用于海上石油钻采平台和核电站,应另签订技术协议。

                   三、内部结构

                   装置的基本柜架为组合ω式装配结构,柜架的基本结构件都经过〗镀锌处理,通过自攻锁紧螺钉或8.8级方角螺丝紧固互相连♂接成基本柜架,再按方案变化需要,加上相应的门、封板、隔板、安装支架、以及母线、功能单→元等零部件,组装成一▂台完整的装置。装置内零部件尺寸,隔室尺寸实行模数化(模数单位e=25mm)。

                   四、技术参数

                定工作电压(V)


                380660

                额定绝缘电压(V)


                660

                额定工作电流(A)

                水平母线

                30—5000(双面柜为2000A)


                垂直母线

                1 000(MCC柜)

                额定短时耐受电『流(KA/I S)


                50—80

                额定冲击耐受电流◥(峰值KA)


                105—176

                外壳防护等级


                IP40

                外形尺寸


                2200×600(800,1000)×600




                高×宽×深(ram)


                -1000